SK海力士与闪迪8月4日通过开放计算项目发布首套高带宽闪存标准规范，推动这种面向人工智能推理的新型存储走向统一接口。两家公司今年2月开始合作，首份规范使HBF从厂商概念向可共同开发的产品标准迈进一步。
HBF位于高带宽内存与固态硬盘之间。HBM带宽高，但成本较高且容量有限；固态硬盘容量大，速度却难以满足部分计算任务。HBF以NAND闪存为基础，采用类似HBM的垂直堆叠方式，目标是在推理过程中承接更大规模的历史数据和词元缓存。
闪迪称，HBF可在接近HBM带宽的同时，以相近成本提供后者8至16倍的容量。其设计在物理尺寸、功耗和堆叠高度上接近HBM4，每16层堆叠容量最高可达512GB。上述指标来自厂商方案，最终表现仍取决于控制器、封装、软件调度和实际工作负载。
这项技术也可能扩大AI存储的参与者范围。HBM市场主要由SK海力士、三星电子和美光等DRAM厂商竞争，HBF使用的NAND市场还包括闪迪、西部数据、铠侠和长江存储等公司。统一规范可以降低不同芯片和存储方案之间的适配成本，但并不意味着各家产品已经能够互换。
闪迪计划在今年年底向客户提供首批HBF样品，并于2027年初推出首批搭载HBF的AI推理设备样品。SK海力士此前提出H3架构，把HBM和HBF并列部署在GPU附近，以高带宽内存处理即时数据、以高带宽闪存扩充容量。
量产仍有明显约束。集邦咨询研究经理敖国锋表示，目前公开显示具备相关量产支持的主要是闪迪与SK海力士，HBF生产周期约九个月，占用的生产空间可达到普通产线的三倍。行业对其商业化时间和市场规模的预测差异较大，近期更可验证的节点是年底样品能否交付，以及设备厂商是否在明年把这种存储纳入推理系统。
